终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：数据传输提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续面世PCIe 5.0 SSD硅盘，同时带来更多新关键技术和优惠。近日，LG其网站达成协议开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其起名为第8代V-NAND。

（图片缺少：LG电子主页）

据小雷明了，新锐存储芯片并不需要达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度最少12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供者1Tb（128GB）的方案，LG电子没有公布IC的实际体积，不过他们所称其是行业最高的比特体积。

（图片缺少：LG电子我国主页）

现在LG其网站还尚未面世实际的产品，不过距离一些公司面世已经不远处了。值得一提的是，虽然存储输出功率变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理准确度，封装512GB输出功率也不会最少0.8mm。

与现在同输出功率的闪存芯片相比，第8代V-NAND的DRAM生产率大幅提高了20%，并不需要满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。DRAM生产率的提升意味着生产成本进一步增加，近期大家毕竟可以买到完全相同输出功率下更高昂的硅磁盘。

（图片缺少：LG电子我国主页）

事实上，不只有LG公司总部，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在不遗余力研制3D NAND关键技术，依此来拉开与竞争者的差，从而占据大部分市场份额。就现在而言，LG的3D NAND关键技术已经完成了全面压过，希望近期其他厂商并不需要人口为120人，争取期盼追上LG。

对自已购买硅磁盘的服务器来说，完全可以等等看，毕竟来作等等党也“永远不亏”，预计后面还会有更多一些公司上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，尚未来还会有更多输出功率大且高昂的硅磁盘。

（插图图缺少：LG电子我国主页）